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TFT和光電二極管等多個元件縱向層疊的方法

更新日期:2007-09-04  作者:  來源:光學精密機械網(ChinaOptic.Com.Cn)收集整理

  以低成本實現三維LSI(TFT和光電二極管等多個元件縱向層疊)的方法亮相。通過半導體激光使中間夾有一層絕緣膜的2層硅薄膜同時結晶,這是奈良尖端科學技術研究生院大學、產業技術綜合研究所及愛發科(ULVAC)合作小組的成果。   字串8

  使用綠色激光  

  開發小組在玻璃底板上形成了2層硅薄膜,硅薄膜中間夾有氧化硅,通過向上層照射半導體激光,上層、下層硅薄膜可同時結晶。使用波長較長的半導體綠色激光(波長532nm),上層的硅層不完全吸收所照射的激光,透過的激光讓下層吸收。  

  硅薄膜結晶一般使用的激光波長較短,約為300nm以下,因此上層的硅膜吸收了大部分的光。這樣,使用準分子激光法便需要從下層開始逐次進行層疊和結晶,工藝成本比較高。  

膜質量與單結晶相當,嘗試用于人工視網膜LSI  

  用此次的方法完成結晶的硅薄膜,上層可形成粒徑1μm左右的多結晶,下層可形成粒徑幾十納米的微結晶。上層的載流子遷移率為550cm2/(V-1s-1),與單結晶相當,可用于TFT的通道部分等。例如,通過在上層硅膜上嵌入TFT,在下層硅膜上嵌入光電二極管,“能夠實現人工視網膜LSI”(奈良尖端科學技術研究生院大學 副教授浦岡行治),開發小組計劃推進人工視網膜的應用開發。  

  在使用綠色激光實現結晶化的硅薄膜領域,此前沒有實現如此高的載流子遷移率的先例。與使用氣體的準分子激光相比,使用類似綠色激光這樣的半導體激光具有維護成本低的優點。

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